[发明专利]气体传感器及其形成方法无效
| 申请号： | 201210331094.1 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102866178A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 伍晓明;肖柯;吕宏鸣;钱鹤;吴华强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体传感器及其形成方法，该气体传感器包括：衬底；形成在衬底之上的介质层；形成在介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；形成在介质层之上的碳基薄膜，其中，碳基薄膜位于第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及形成在碳基薄膜之上的第一金属接触和第二金属接触，其中第一金属接触与第一压焊块的至少一部分相连，第二金属接触与第二压焊块的至少一部分相连。本发明的气敏材料采用石墨烯，气敏性质更优；利用气压在形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种气体传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层之上形成第一压焊块和第二压焊块；在所述介质层之上形成碳基薄膜，其中，所述碳基薄膜位于所述第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖所述第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及在所述碳基薄膜之上形成第一金属接触和第二金属接触，其中所述第一金属接触与所述第一压焊块的至少一部分相连，所述第二金属接触与所述第二压焊块的至少一部分相连。
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