[发明专利]热电偶及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210331662.8 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN102865938A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 伍晓明;肖柯;吕宏鸣;钱鹤;吴华强 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01K7/02 分类号: G01K7/02
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种热电偶及其形成方法,该方法包括:提供衬底;在衬底之上形成介质层;在介质层之上形金属层;对金属层进行光刻及刻蚀处理以形成第一压焊块、第二压焊块和热偶金属条,其中第二压焊块与热偶金属条相连;在介质层之上形成碳基薄膜,其中,碳基薄膜的一端与压焊块接触,另一端与热偶金属条接触;在第一压焊块形成第一金属接触,并在第二压焊块之上形成第二金属接触。本发明的热电偶采用石墨烯,具有很高的塞贝克系数,且可以通过栅电压进行调制,因此制作的热电偶灵敏性高;利用气压形成的碳基薄膜平整、致密、质量好;形成碳基薄膜之后的工序少,对碳基薄膜的沾污或损害少;最终形成两面夹结构的电极,强度更大,接触电阻更小。
搜索关键词: 热电偶 及其 形成 方法
【主权项】:
一种热电偶的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底之上形成介质层;在所述介质层之上形成金属层;对所述金属层进行光刻及刻蚀处理,以形成第一压焊块、第二压焊块和热偶金属条,其中所述第二压焊块与所述热偶金属条相连;在所述介质层之上形成碳基薄膜,其中,所述碳基薄膜的一端与所述压焊块接触,另一端与所述热偶金属条接触;以及在所述第一压焊块形成第一金属接触,并在所述第二压焊块之上形成第二金属接触。
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