[发明专利]有机分子存储器和用于有机分子存储器的有机分子有效
| 申请号： | 201210332475.1 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103137647A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 多田宰;西沢秀之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;C07C323/31;C07D495/04;C07D333/20;C07D333/32;C07D519/00;C07D339/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方案的有机分子存储器包括：第一传导层；第二传导层；和有机分子层，该有机分子层在第一传导层和第二传导层之间提供并且含有选自在分子体系中具有分子骨架且同时满足下述条件(I)和(II)的分子的有机分子，其中所述分子骨架具有沿分子轴延伸的π-电子体系：(I)最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中一个沿分子轴离域，且另一个相对于分子轴定域；和(II)最高占据分子轨道(HOMO)的能级值为-5.75eV或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 分子 存储器 用于 | ||
【主权项】：
一种有机分子存储器，包括：第一传导层；第二传导层；和在第一传导层和第二传导层之间提供的有机分子层，所述有机分子层包括选自满足下述条件(I)和(II)的分子组，所述有机分子具有分子骨架，所述分子骨架具有沿分子轴延伸的π‑电子体系：(I)最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中一个沿分子轴离域，且另一个相对于分子轴定域；和(II)最高占据分子轨道(HOMO)的能级值为‑5.75eV或更高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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