[发明专利]晶圆减薄方法有效
| 申请号： | 201210333074.8 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102832224A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆减薄方法包括：提供晶圆；利用多道研磨工艺减薄所述晶圆，其中，在每道研磨工艺之后还对所述晶圆执行湿法刻蚀工艺。通过本发明提供的晶圆减薄方法所形成的减薄后的晶圆不易发生晶圆破片的问题，极大地提高了工艺的可靠性，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：提供晶圆；利用多道研磨工艺减薄所述晶圆，其中，在每道研磨工艺之后还对所述晶圆执行湿法刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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