[发明专利]一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201210333321.4 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832240A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张金平;李巍;夏小军;安俊杰;张灵霞;李泽宏;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件和功率集成电路技术领域。本发明在传统的绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在器件终端集电极区域引入一层连续或不连续的介质层。本发明通过介质层的引入可显著的降低器件终端集电极区域的有效空穴发射效率，从而减小器件终端处的空穴注入。当器件关断时，由于终端集电极区域空穴注入的减少，可使器件终端等位环附近的电流集中现象得到有效的抑制，从而抑制和消除由于电流集中引起的热击穿和动态雪崩击穿，从而有效改善绝缘栅双极型晶体管的关断能力，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集电极 终端 具有 介质 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极终端区域具有一层介质层（17）；所述介质层（17）具体位于P型集电区（10）的终端区域或金属集电极（3）的终端区域。
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