[发明专利]一种低功耗异或/同或门电路有效
申请号: | 201210333397.7 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102857217A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 胡建平;陈金丹;杨丹 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H01L29/06 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种低功耗异或/同或门电路,特点是包括输入反相器模块、互补传输管逻辑模块和差分串联电压开关逻辑模块,输入反相器模块与互补传输管逻辑模块相连接,互补传输管逻辑模块和差分串联电压开关逻辑模块相连接;优点是在不影响电路性能的情况下,电路的晶体管数量少,有效地降低了电路的功耗,且本发明的电路不仅具有异或的逻辑功能同时还具有同或的逻辑功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 功耗 门电路 | ||
【主权项】:
一种低功耗异或/同或门电路,其特征在于:包括输入反相器模块、互补传输管逻辑模块和差分串联电压开关逻辑模块,所述的输入反相器模块包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管,所述的互补传输管逻辑模块包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管,所述的差分串联电压开关逻辑模块包括第三PMOS管和第四PMOS管,所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第三PMOS管的源极及所述的第四PMOS管的源极均与电源正端相连接,所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的源极均接地,所述的第一PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的栅极、所述的第四NMOS管的源极及所述的第六NMOS管的源极均与第一信号输入端相连接,所述的第二PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极、所述的第三NMOS管的栅极及所述的第六NMOS管的栅极均与第二信号输入端相连接,所述的第一PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的源极及所述的第五NMOS管的源极四者相连接,所述的第二PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的栅极及所述的第五NMOS管的栅极四者相连接,所述的第三NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的漏极、所述的第三PMOS管的漏极及所述的第四PMOS管的栅极均与第一信号输出端相连接,所述的第五NMOS管的漏极、所述的第六NMOS管的漏极、所述的第四PMOS管的漏极及所述的第三PMOS管的栅极均与第二信号输出端相连接。
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