[发明专利]微透镜阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201210333616.1 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103022063A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·恩格尔哈德特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G02B3/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了微透镜阵列及其制作方法。该方法包括在衬底上形成第一透镜材料结构。第一透镜材料结构包括多个升高部分。所述升高部分通过凹部隔开。而且，所述多个升高部分具有至少3微米的平均高度。此外，用于制作微透镜阵列的方法包括在第一透镜材料结构和凹部上沉积介电材料，以形成第二透镜材料结构。第二透镜材料结构具有至少1微米的平均厚度。而且，第一和第二透镜材料结构一起形成该微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 透镜 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作微透镜阵列的方法，包括：在衬底上形成第一透镜材料结构，其中，所述第一透镜材料结构包括通过凹部隔开的多个升高部分，其中，所述多个升高部分具有至少3微米的平均高度；以及在所述第一透镜材料结构和所述凹部上沉积最小厚度为至少1微米的介电材料，以形成第二透镜材料结构，其中，所述第一和第二透镜材料结构一起形成所述微透镜阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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