[发明专利]穿衬底通孔尖端的聚合物后显现

摘要

一种形成半导体裸片的方法包含：在具有包含有源电路的顶侧以及底侧以及多个穿衬底通孔TSV的衬底的底侧上形成聚合物或所述聚合物的前体的层。所述TSV具有至少包含电介质衬料的衬料以及延伸到从所述底侧突出的TSV尖端的内部金属芯。所述聚合物或前体的层以及衬料覆盖所述多个TSV尖端，且所述聚合物或前体的层位于所述底侧上的所述TSV尖端之间。从所述TSV尖端的顶部上移除所述聚合物或前体以及所述衬料以使所述内部金属芯显现。

主权项

一种形成半导体裸片的方法，其包括：在具有包含有源电路的顶侧以及多个穿衬底通孔TSV的衬底的底侧上形成聚合物或所述聚合物的前体的层，所述TSV具有至少包括电介质衬料的衬料以及延伸到从所述底侧突出的TSV尖端的内部金属芯，其中所述聚合物或所述前体的所述层以及所述衬料覆盖所述多个TSV尖端，且所述聚合物或所述前体的所述层位于所述底侧上的所述多个TSV尖端之间，以及移除所述TSV尖端的顶部上的所述聚合物或所述前体以及所述衬料以使所述金属芯显现，其中在所述移除之后，所述聚合物或所述前体保留在所述底侧上所述TSV尖端之间。