[发明专利]基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器

摘要

本发明涉及一种光电探测器，尤其涉及一种基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，包括依次层叠的衬底、缓冲层、n型掺杂AlxInyGa1-x-yN层、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N吸收层、Alx2Iny2Ga1-x2-y2N缓变层以及n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层。本发明选用n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N作为倍增层，避免了GaN基雪崩光电探测器制作中采用GaN基材料p型掺杂和背入射方式所带来的不利因素，以异质结构和正入射方式实现雪崩光电探测器的吸收n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层分离和单载流子触发雪崩，进而实现低噪声、高响应速度、高增益的光电探测。

主权项

一种基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：包括依次层叠的衬底、缓冲层、n型掺杂AlxInyGa1‑x‑yN层、Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N吸收层、Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N缓变层以及n型Alx3Iny3Ga1‑x3‑y3N倍增层。