[发明专利]一种提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法无效
申请号: | 201210333902.8 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102832196A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 俞柳江 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法,包括两个电极和连接在两个电极之间的电子可编程熔丝,所述电极和电子可编程熔丝均位于一基板上,其中,在所述电子可编程熔丝两侧添加空置栅极,所述空置栅极用于使所述电子可编程熔丝具有不同的特征尺寸,进而提升所述电子可编程熔丝的熔断性能;本发明的有益效果是:通过增加附加的空置多晶硅栅,在多晶硅熔丝中形成不同的特征尺寸,从而导致多晶硅熔丝中出现电流密度梯度,增强了电子可编程熔丝的电迁移现象,最终增强电子可编程熔丝器件的熔断性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 电子 可编程 器件 熔断 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法,包括两个电极和连接在两个电极之间的电子可编程熔丝,所述电极和电子可编程熔丝均位于一基板上,其特征在于,在所述电子可编程熔丝两侧添加空置栅极,所述空置栅极用于改变所述电子可编程熔丝的特征尺寸。
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