[发明专利]高压结场效晶体管有效
| 申请号： | 201210334110.2 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103681876A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈立凡;陈永初;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压结场效晶体管(High Voltage Junction Field Effect Transistor，HV JFET)。该高压结场效晶体管包括一衬底、一漏极、一源极及一P型顶层；漏极设置于衬底之上；源极设置于衬底之上；源极及漏极之间形成一通道；P型顶层设置于通道之上。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 结场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高压结场效晶体管，包括：一衬底；一漏极，设置于该衬底之上；一源极，设置于该衬底之上，该源极及该漏极之间形成一通道；以及一P型顶层，设置于该通道之上。
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