[发明专利]半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元有效
| 申请号： | 201210334605.5 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103000685A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 尾崎史朗;武田正行 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L23/00;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元。一种半导体器件，包括化合物半导体多层结构、覆盖化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜、以及布置在化合物半导体多层结构上方的栅电极，其中含氟阻挡膜布置在栅电极与化合物半导体多层结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 电源 装置 以及 高频 放大 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：化合物半导体多层结构；覆盖所述化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜；以及布置在所述化合物半导体多层结构之上的栅电极，所述含氟阻挡膜置于所述栅极与所述化合物半导体多层结构之间。
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