[发明专利]半导体封装结构焊帽凸块与其制作方法有效
申请号: | 201210334825.8 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN103000542A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 沈更新 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露一具均匀高度的焊帽凸块(SOLDER CAP BUMP)的半导体封装结构。在一实施例中,该半导体封装结构包含一半导体基板,该基板包含复数个间隔设置的焊垫并位于该基板的上表面,以及一保护层形成于该焊垫上方,其中,有复数个焊垫开孔形成于保护层中以露出焊垫的至少一部分,有复数个焊帽凸块形成于该保护层中的焊垫开孔中,以及一具有复数个与焊帽凸块中的焊帽电连接的接线焊垫的承载基板。该焊帽凸块包含一位于一导电柱上方的焊帽,以及一图案化层,图案化涂布于导电柱之上表面以定义出一供焊球沉积之区域。该焊球可经回焊以形成该焊帽。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 焊帽凸块 与其 制作方法 | ||
【主权项】:
一在一半导体元件形成焊帽凸块的方法,该方法包含:提供一半导体基板,该基板具有间隔设置于该基板上表面的复数个焊垫,以及一沉积在该些焊垫上方的钝化层,其中有复数个焊垫开孔形成于该钝化层中以使该些焊垫至少一部份露出;形成复数个导电柱于该些焊垫开孔,使得该些导电柱可透过该些焊垫开孔与焊垫电连接;沉积一图案化层以覆盖该钝化层与该些导电柱,其中,该图案化层包含复数个位于导电柱顶端且具有一预定尺寸的导电柱开孔;置放一焊球于每一导电柱开孔,其中,该焊球的尺寸小于该导电柱开孔的特定尺寸;移除该图案化层使该钝化层、该些导电柱、与在该些导电柱上的焊球露出;以及对该些焊球进行回焊以形成一半球型的焊帽于该导电柱上,并进而形成该焊帽凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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