[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201210335211.1 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832340A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 周夕淋;宋志棠;吴良才;饶峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，如Ge-Te、Sb-Te等相变材料；也可以是三元的材料体系，如Ge-Sb-Te、Si-Sb-Te、Al-Sb-Te、Ti-Sb-Te等相变材料；诱导结晶层锑薄膜的厚度控制在1-5nm。由于锑原子能够促进相变材料结晶过程中晶粒的生长，因此植入的锑薄膜层能与周围的相变材料形成富锑的相变材料体系，以加快相变材料在结晶过程中的晶化速率，从而有助于提高相变存储器存储单元的操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器单元，其包括相变材料层，其特征在于，所述相变材料层中设有至少一层诱导相变材料结晶的锑Sb薄膜。
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