[发明专利]双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210335545.9 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832118A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 黄君;张瑜;盖晨光 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双大马士革结构中BARC的刻蚀方法，通过采用包括H2、Ar和CxFy系气体的混合气体作为刻蚀气体，并且H2和Ar为主刻蚀气体，CxFy系气体为辅助刻蚀气体；由于H2对光阻有较高的刻蚀率，而对下层氧化层的刻蚀率几乎为零，从而减少了过刻蚀对ULK绝缘层的损伤；且由于Ar在蚀刻过程中增加了等离子体对BARC的轰击作用，这样对氧化层无损耗而克服了由于在不同图案区域以及晶片中间、周边蚀刻率的差异而引起的深度差；从而大幅减少整个晶片下层的氧化层的损失，提高了整个蚀刻深度的均匀性，同时在保证光阻图案高度真实的被转移到BARC层且无残留的情况下，减小了光阻的消耗而提高了蚀刻工艺的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 底部 反射 涂层 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法，其特征在于，该方法采用的刻蚀气体包括H2、Ar和CxFy系气体，并且其中所述H2和Ar为主刻蚀气体，所述CxFy系气体为辅助刻蚀气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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