[发明专利]选择性晶体硅刻蚀液、晶圆硅片的刻蚀方法及其应用在审
| 申请号： | 201210335557.1 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103668210A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 史爽;常延武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种选择性晶体硅刻蚀液，该刻蚀液包括：体积百分比大于0vol％且小于等于80vol％的硝酸；体积百分比大于0vol％且小于等于20vol％氢氟酸；以及体积百分比大于0vol％且小于等于50vol％乙酸。同时提供一种晶圆硅片的刻蚀方法，包括：提供所述的选择性晶体硅刻蚀液；将若干晶圆硅片置于所述选择性晶体硅刻蚀液中；在密闭环境下，将包含若干晶圆硅片的选择性晶体硅刻蚀液加温至25℃～50℃，并在此温度下保持10sec～1800sec使所述若干晶圆硅片的表面得到刻蚀。该晶圆硅片的刻蚀方法可以用于晶圆背面的硅刻蚀。用该选择性晶体硅刻蚀液的晶圆硅片的刻蚀方法，解决了现有的晶圆背面的晶体硅的刻蚀的均一性和粗糙度差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 晶体 刻蚀 硅片 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种选择性晶体硅刻蚀液，包括：体积百分比大于0vol％且小于等于80vol％的硝酸；体积百分比大于0vol％且小于等于20vol％氢氟酸；以及体积百分比大于0vol％且小于等于50vol％乙酸。
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