[发明专利]内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法

摘要

本发明涉及一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，涉及晶体振荡器技术领域。利用该方法能够对未知的晶体振荡器温度频率特性曲线进行拟合，根据获得的特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；而后将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内，进行频率精度检测，实现基于温度频率特性曲线实现两点校准或单点校准，从而大幅度简化校准的测试流程，提高测试效率，进而在全温度范围(-40℃~85℃)内可实现晶体振荡器精确校准和补偿，补偿后的计时精度可达±2.0ppm。且本发明的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其应用方式简便，成本低廉，应用范围也较为广泛。

主权项

一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：（1）初始化所述的晶体振荡器的内部负载电容；（2）确定所述的晶体振荡器的频率精度温度特性曲线；（3）根据所述的频率精度温度特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；（4）将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内；（5）检测所述的多个温度点的频率精度，并判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤（8），若否，则进入步骤（6）；（6）重新进行所述的步骤（1）至步骤（4），并检测多个温度点的频率精度，判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤（8），若否，则进入步骤（7）；（7）确定所述的晶体振荡器为不良品，结束本方法；（8）确定所述的晶体振荡器为良品，结束本方法。