[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210337659.7 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103000493A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·阿伦斯;约翰内斯·鲍姆加特尔;安东·毛德;弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;马强 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括形成半导体主体的多孔区。该半导体主体包括位于多孔区中的多孔结构。在多孔区上形成半导体层在半导体层中形成半导体区域。然后，将半导体层与半导体主体沿着多孔区分离，包括通过热处理将氢引入到多孔区内。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体主体的表面处形成多孔区，其中，所述半导体主体包括位于所述多孔区中的多孔结构；在所述多孔区上形成半导体层；在所述半导体层中形成半导体区域；以及将具有所述半导体区域的所述半导体层与所述半导体主体沿着所述多孔区分离，包括通过热处理将氢引入到所述多孔区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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