[发明专利]一种用于CIGS基薄膜光伏电池的过渡层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210337801.8 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102867860A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李艺明;田宏波 | 申请（专利权）人： | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于CIGS基薄膜光伏电池的过渡层及其制备方法，包括提供钠钙玻璃基板，还包括形成覆盖钠钙玻璃基板表面区域的一过渡层，形成覆盖过渡层的钼层，形成覆盖钼层的具有黄铜矿结构的光吸收层，形成覆盖光吸收层的缓冲层，形成覆盖缓冲层的窗口层。本发明在玻璃基板表面沉积一过渡层可有效解决钼电极层与玻璃基板之间的粘接问题，同时又可防止钠物质不受控的扩散进入光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 cigs 薄膜 电池 过渡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CIGS基薄膜光伏电池的过渡层，其特征在于：所述的过渡层设于钠钙玻璃基板表面和钼层之间，过渡层由硅、锆和钛中的至少一种元素与钼组成的至少两种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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