[发明专利]吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法有效
| 申请号： | 201210339962.0 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103011175A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 何云龙;张松源;陆明辉;江崇玮 | 申请（专利权）人： | 盟智科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法。吸附有金属离子的二氧化硅为通过过硫酸盐修饰的吸附有金属离子的二氧化硅。上述制造方法包括下列步骤：首先，提供溶液，在溶液中包括二氧化硅及过硫酸盐。接着，加热溶液，使二氧化硅与过硫酸盐进行反应，而获得通过过硫酸盐修饰的二氧化硅。然后，在溶液中加入金属离子源，金属离子源解离出金属离子，通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附金属离子，而获得吸附有金属离子的二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 吸附 金属 离子 二氧化硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种吸附有金属离子的二氧化硅的制造方法，其特征在于，包括：提供溶液，在所述溶液中包括二氧化硅及过硫酸盐；加热所述溶液，使所述二氧化硅与所述过硫酸盐进行反应，而获得通过过硫酸盐修饰的二氧化硅；以及在所述溶液中加入金属离子源，所述金属离子源解离出金属离子，所述通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附所述金属离子，而获得所述吸附有金属离子的二氧化硅。
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