[发明专利]一种驱动发光器件的单片集成电路

摘要

本发明公开了一种驱动发光器件的单片集成电路。该驱动电路包括第一输入端（IN1）、第二输入端（IN2）和输出端（OUT），所述输出端（OUT）连接至发光器件，其特征在于，该电路还包括第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、第三PMOS晶体管（P3）、第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第三PMOS晶体管（N3）、第一电容（C1）和第二电容（C2）。本发明的有益效果是：电路结构简单，相应速度快，MOS管所占芯片面积较小，适合于集成电路的集成。

主权项

一种驱动发光器件的单片集成电路，包括第一输入端（IN1）、第二输入端（IN2）和输出端（OUT），所述输出端（OUT）连接至发光器件，其特征在于，该电路还包括第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、第三PMOS晶体管（P3）、第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第三PMOS晶体管（N3）、第一电容（C1）和第二电容（C2）；所述第三NMOS晶体管（N3）与第四NMOS晶体管（N4）为参数相同的NMOS晶体管, 所述第三PMOS晶体管（P3）与第二PMOS晶体管（P2）为参数相同的PMOS晶体管；所述第一输入端（IN1）连接至第一NMOS晶体管管（N1）的栅极、第二PMOS晶体管（P2）的栅极和第二NMOS晶体管（N2）的栅极，第二输入端（IN2）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极、第三NMOS晶体管（N3）的栅极和第四NOMS晶体管（N4）的栅极；第一电容（C1）的一端连接至输出端（OUT）和第二PMOS晶体管（P2）的源极，另一端连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第一NMOS晶体管（N1）的源极；第二电容（C2）的一端连接至第四NMOS晶体管（N4）的漏极和第三PMOS晶体管（P3）的栅极，另一端连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第一NMOS晶体管（N1）的源极；第一PMOS晶体管（P1）的源极、第一NMOS晶体管（N1）的漏极和第三PMOS晶体管（P3）的源极均连接电压源（VDD）；第三NMOS晶体管（N3）的源极和第四NMOS晶体管（N4）的源极均接地；第二NMOS晶体管（N2）的漏极连接至第二PMOS晶体管（P2）的漏极和第三PMOS晶体管（P3）的漏极，源极连接至第三NMOS晶体管（N3）的漏极。