[发明专利]凹坑阵列聚合物模板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210341433.4 申请日: 2012-09-17
公开(公告)号: CN102873795A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 葛海雄;陈延峰;袁长胜;卢明辉 申请(专利权)人: 无锡英普林纳米科技有限公司
主分类号: B29C33/00 分类号: B29C33/00;B29C33/38;B29L11/00
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李媛媛
地址: 214192 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种凹坑阵列聚合物模板及其制备方法,该凹坑阵列聚合物模板由聚合物基体、聚合物表面的凹坑阵列组成,凹坑的大小为5微米到100微米。其制备方法包括以下步骤:1)将塑料瓶开方形孔并注入少量水;用胶将一光滑塑料板粘结在塑料瓶上并密封住方形孔;2)瓶内水分蒸发并泠凝在塑料板的表面,用显微镜观察其水滴大小;3)快速冷冻塑料瓶及塑料板;4)将聚合物的预聚物倾倒到塑料板上有水珠阵列的一面,固化;5)分离聚合物及塑料板,即得凹坑阵列聚合物模板。本发明结构新颖,制备简单,可在微纳光学、生物、传感、信息等领域获得应用。
搜索关键词: 阵列 聚合物 模板 及其 制备 方法
【主权项】:
凹坑阵列聚合物模板,其特征是,所述凹坑阵列聚合物模板由聚合物基体和聚合物表面的凹坑阵列组成,凹坑的直径为5微米到100微米。
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