[发明专利]一种提高GaN衬底使用效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高GaN衬底使用效率的方法，包括如下步骤：1）使用GaN衬底以及气相沉积方法进行制造LED发光二极管外延，在外延生长开始时，外延一层1～50nm的InGaN异质材料层；2）继续外延n型掺杂的GaN缓冲层；并完成后续整个LED结构的外延生长；3）使用晶圆金属键合的方式进行高反射率的导电基板Si片或Cu片与外延表面的键合成一体；4）通过激光剥离的方式，将原GaN衬底在InGaN异质材料层中剥离，外延层与导电基板形成高出光的倒装式LED芯片结构；5）GaN衬底再作为外延衬底重复投入使用。本发明解决了现有技术的难点，提供了一种节约成本、调高效率的高亮度发光二极管的制造方法，相比传统的LED芯片，本发明制造的LED芯片发光亮度至少提高15%。

主权项

一种提高GaN衬底使用效率的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)使用气相沉积方法在GaN衬底上外延一层InGaN异质材料层或InGaN/GaN超晶格结构层；2)在所述的InGaN异质材料层或InGaN/GaN超晶格结构层上继续外延生长n型掺杂层与后续LED外延结构层；3)将完成外延后的基于GaN衬底的LED外延片与高反射率的导电基板进行金属键合从而形成一个整体的晶圆片；4)将键合后的晶圆片进行激光剥离操作，将GaN衬底经由InGaN异质材料层或InGaN/GaN的超晶格结构层从整个晶圆片中剥离,剥离后分别形成可再次重复投入使用的GaN的衬底片和键合的高出光倒装式的LED芯片结构。