[发明专利]用于制备LED倒装芯片的图形化衬底无效
| 申请号： | 201210342179.X | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832308A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陈伟;刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种专门用于制备LED倒装芯片的新型图形化衬底，其包括采用在平面蓝宝石衬底表面沉积一层或多层薄膜材料（该薄膜材料折射率不同于蓝宝石的折射率（n=1.76），该种材料可为氧化钛、氧化锌、氧化镁等，但不限于这几种材料），然后利用ICP干法刻蚀出锥形、柱状图形，可以有效提高出光效率。本发明的新型图形化衬底，主要针对于倒装芯片，衬底图形表面（锥形、柱状图形）涂层或整体材质为非蓝宝石材料，当倒装芯片的光子经过该涂层（一层或多层）时，由于其折射率不同，破坏了光子在蓝宝石材料中的全反射光路，可以在最大程度上增加出光几率，该发明提供的图形衬底对倒装结构芯片的出光效率能提高15%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 led 倒装 芯片 图形 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：它包括蓝宝石基底、沉积于所述的蓝宝石基底上表面的一层或多层半导体材料薄膜，所述的半导体材料薄膜上刻蚀形成有图形阵列，其中，所述的半导体材料薄膜的折射率介于蓝宝石衬底的折射率与GaN材料的折射率之间。
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