[发明专利]带有多个外延层的横向PNP双极晶体管无效
| 申请号： | 201210342210.X | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103022112A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密;弗兰茨娃·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极晶体管，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极晶体管。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极晶体管。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS晶体管的横向PNP双极晶体管，以获得高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 外延 横向 pnp 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种横向双极晶体管，其特征在于，包括：一个第一导电类型的半导体衬底；一个第一导电类型的第一掩埋层以及一个第二导电类型的第二掩埋层，都形成在所述的衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；以及两个或多个第二导电类型的外延层，连续形成在所述的衬底上，每个外延层都包括两个或多个扩散区，形成在其中一个外延层中的扩散区与形成在邻近外延层中的扩散区垂直对准；其中第一组扩散区垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为发射极区，第二组扩散区垂直对准，构成第一导电类型的连续扩散区，并且作为集电极区，基极区形成在发射极和集电极区之间的一个或多个外延层中。
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