[发明专利]具凹槽电极与光提取结构的发光二极管晶粒及其制作方法无效
| 申请号： | 201210342451.4 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103325907A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 段忠;朱俊宜 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管晶粒及其制作方法。所述发光二极管晶粒包含：一多层的半导体基板，包含一n型限制层；一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射；及一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；多个光提取结构，位于所述n型限制层上，用以散射所述电磁辐射；以及一电极，位于一嵌入所述n型限制层的凹槽内、并接近所述多个光提取结构。所述方法包含：形成所述半导体基板；形成一凹槽于所述n型限制层内，其具有多个边墙及一平的底面；形成一电极于所述凹槽内，其包含一保形地形成于所述凹槽的边墙及底面的导电材料；平坦化所述电极；以及形成多个光提取结构于所述n型限制层内，并接近所述电极。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 电极 提取 结构 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，其特征在于，其包括：一多层的半导体基板，包括：一n型限制层；一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射；及一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；多个光提取结构，位于所述n型限制层上，用以散射所述电磁辐射；以及一电极，位于一嵌入所述n型限制层的凹槽内、接近所述多个光提取结构、且电性连接所述n型限制层，所述凹槽具有多个边墙及一底面，所述电极保形地形成于所述凹槽的边墙及底面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭明光电股份有限公司，未经旭明光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210342451.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种中药制剂的盛装结构
- 下一篇：薄膜晶体管及其制作方法和显示器件
