[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示面板有效
申请号: | 201210342996.5 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN103295959A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 曹兆铿;徐之际;王征 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。制造方法包括:在像素区域、数据线上形成绝缘层;通过半透膜掩模板图案化绝缘层,使像素区域中透光区域绝缘层厚度小于数据线上绝缘层厚度;在绝缘层上形成透明导电层,图案化透明导电层形成公共电极和像素电极,至少部分公共电极与数据线交叠。阵列基板包括:形成于数据线和像素区域上的绝缘层,像素区域中透光区域的绝缘层的厚度小于数据线上绝缘层的厚度;阵列基板还包括位于绝缘层上、与数据线至少部分交叠的公共电极,以及与薄膜晶体管的漏极相连的像素电极。本发明还提供一种包括阵列基板的液晶显示面板,本发明在提高像素区域光透过率的同时减小了耦合电容。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在透明基板上形成绝缘相交的扫描线和数据线,位于所述扫描线和数据线交界处与所述扫描线和数据线均相连的薄膜晶体管,以及存储电容,所述扫描线和数据线围成像素区域,所述薄膜晶体管和存储电容位于所述像素区域中;在形成有扫描线、数据线、薄膜晶体管和存储电容的所述透明基板上形成绝缘层;通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层形成过孔并使所述像素区域中透光区域的绝缘层厚度小于所述数据线上的绝缘层厚度;在所述绝缘层上形成一透明导电层,图案化所述透明导电层形成公共电极和像素电极,至少部分所述公共电极与所述数据线交叠,像素电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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