[发明专利]半导体主体有掺杂材料区域的元器件和生成该区域的方法有效
| 申请号： | 201210343145.2 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000672A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·奈德哈特;弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;维尔纳·舒斯特尔德;亚历山大·苏斯蒂 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元器件，具有半导体主体，该半导体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。在半导体主体中，由氧-复合体组成的掺杂材料构成掺杂材料区域。该掺杂材料区域沿着从第一侧向第二侧的方向延伸经过长度至少为10μm的部段L。经过该部段L的掺杂材料区域具有从1x1017cm-3至5x1017cm-3的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 主体 掺杂 材料 区域 元器件 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元器件，具有：‑半导体主体，所述半导体主体具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，‑所述半导体主体中的掺杂材料区域，所述掺杂材料区域利用作为施主的氧/空穴‑复合体沿着从所述第一侧向所述第二侧的方向经过长度至少为10μm的部段L构成，其中经过所述部段L的所述掺杂材料区域具有在1x1017cm‑3至5x1017cm‑3的范围中的氧浓度。
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