[发明专利]一种铜互连工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜互连工艺。本发明提出一种铜互连工艺，通过在制备沟槽之后，铜互连形成之前，采用碳氢等离子体对沟槽侧壁在刻蚀和灰化工艺中受损的超低介电常数薄膜进行修复，以使得最终制备的铜互连结构的有效介电常数满足工艺需求，进而提升产品的良率。

主权项

一种铜互连工艺，其特征在于，在一具有半导体结构的衬底上表面，从下至上顺序依次制备刻蚀阻挡层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层和金属硬掩膜，刻蚀去除部分所述金属硬掩膜至所述超低介电常数薄膜保护层的上表面，于剩余金属硬掩膜上形成工艺窗口；以剩余金属硬掩膜为掩膜依次刻蚀超低介电常数薄膜保护层、超低介电常数薄膜和所述刻蚀阻挡层至所述衬底的上表面，形成沟槽结构；采用包含有碳氢的等离子体对所述沟槽结构进行等离子工艺，制备铜阻挡层覆盖所述沟槽结构的底部及其侧壁；填充并电镀金属铜充满所述沟槽结构，平坦化工艺去除剩余金属硬掩膜、剩余超低介电常数薄膜保护膜及部分剩余超低介电常数薄膜，形成第一层铜互连结构。