[发明专利]包括III-V 族化合物半导体层的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210344919.3 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103094320A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李商文;申在光;曹永真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供包括III-V族材料的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：硅基板，包括孔；硬掩模，在基板上围绕孔形成；第一材料层，填充在孔内并形成在硬掩模上；上材料层，形成在第一材料层上；和器件层，形成在上材料层上，其中第一材料层是III-V族材料层。III-V族材料层可以是III-V族化合物半导体层。上材料层可以是第一材料层的一部分。上材料层可以使用与第一材料层相同的材料或不同的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 iii 化合物 半导体 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅基板，包括孔；硬掩模，在所述基板上围绕所述孔形成；第一材料层，填充在所述孔内并形成在所述硬掩模上；上材料层，形成在所述第一材料层上；和器件层，形成在所述上材料层上，其中所述第一材料层是III‑V族材料层。
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