[发明专利]一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法无效
| 申请号： | 201210345103.2 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832108A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何志;郑柳;刘胜北;黄亚军;樊中朝;季安;杨富华;孙国胜;李锡光 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，该方法包括以下步骤：a、取一碳化硅半导体薄膜；b、在碳化硅半导体薄膜上生长一硅薄膜层；c、在硅薄膜层上采用光刻技术获得硅薄膜图案；d、对样品进行氧化，并通过控制氧化时间使多个分离的硅薄膜向两侧扩张，令硅薄膜图案两侧加宽到一定值后形成亚微米线宽的氧化硅薄膜，并可作为碳化硅电力电子器件制造中的掩膜层。本发明通过控制氧化温度和时间等条件，可以精确控制硅薄膜经氧化后的宽度可增加0.01μm-10μm，令氧化硅薄膜之间的间隙可以精确控制到0.1μm甚至更小的量级，以实现碳化硅电力电子器件制造中亚微米工艺线宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 电力 电子器件 制造 实现 微米 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：a、取一碳化硅半导体薄膜（10）；b、在碳化硅半导体薄膜（10）上生长一硅薄膜层（11）；c、采用光刻技术在硅薄膜层（11）上形成硅薄膜图案（12）；d、对上述光刻后的硅薄膜层（11）进行氧化，使硅薄膜图案（12）的边缘向两侧扩张，令硅薄膜图案（12）沿其边缘向两侧加宽后形成亚微米线宽的图案化的氧化硅薄膜（13），并作为碳化硅电力电子器件制造中的掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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