[发明专利]包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法无效
| 申请号： | 201210345388.X | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903390A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 宫武伸一;小川澄男 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 反熔丝 电路 半导体器件 写入 地址 方法 | ||
【主权项】：
一种具有反熔丝电路、地址端子和数据端子的半导体器件，所述反熔丝电路包括：多个熔丝组，包括用于永久地存储数据的反熔丝元件；以及控制电路，将经由所述地址端子提供的缺陷地址写入到通过经由数据端子提供的修复设置地址所指定的熔丝组中的一个。
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