[发明专利]半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201210345515.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103022017A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·克拉埃斯;贝恩德·埃塞内尔;京特·普法伊费尔;德特勒夫·威廉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;宫传芝 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括：工件，具有前侧和后侧；以及电容器，设置在所述工件中，所述电容器包括电耦接到所述工件的后侧的底部电极。在一个实施方式中，所述底部电极可以形成通向所述工件的前侧的传导路径。在一个实施方式中，所述电容器可以是沟道电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一半导体层；第二半导体层，覆盖所述第一半导体层；第三半导体层，覆盖所述第二半导体层；以及电容器，设置在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层中，所述电容器包括电耦接到所述第一半导体层的底部电极。
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