[发明专利]一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法无效
| 申请号： | 201210346127.X | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102839293A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨嵩;李晓薇;齐克尧;刘光磊;司松海;刘海霞 | 申请（专利权）人： | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/01 | 分类号： | C22C9/01;C22F1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212009 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，属于记忆合金技术领域，其特征在于：高铝低锰CuAlMn记忆合金的丝材，尺寸为Ф0.5～2mm，化学成分为：Al 26～26.5wt%，Mn 5～5.5wt%，复合稀土添加剂0.3～0.8wt%，其余为铜。对于高铝低锰CuAlMn记忆合金丝材选取预应变量ε分别为2%、4%、6%、8%、10%，将高铝低锰CuAlMn低温记忆合金按照设定的不同预应变量做成圆状，然后进行记忆回复率测定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 高铝低锰 cualmn 记忆 合金 双程 回复 方法 | ||
【主权项】：
一种控制高铝低锰CuAlMn记忆合金双程记忆回复率的方法，其特征在于：高铝低锰CuAlMn记忆合金的丝材，尺寸为Ф0.5～2mm，化学成分为：Al26～26.5wt%，Mn5～5.5wt%，复合稀土添加剂0.3～0.8wt%，其余为铜；复合稀土添加剂化学成分为：Nb 30～40wt％、Ce20～30wt％、La 10～20wt％、Y +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu为10～20wt%，余为铜。
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