[发明专利]一种在磁核材料Fe3O4表面包覆致密单层SiO2的方法有效

专利信息
申请号: 201210347195.8 申请日: 2012-09-19
公开(公告)号: CN102824891A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 尉继英;赵璇;张振中 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B01J20/12 分类号: B01J20/12;B01J20/28;B01J20/30;H01F1/01
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 尹振启
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种在磁核材料Fe3O4的表面包覆致密单层SiO2、TiO2和Al2O3的制备方法,属于材料制备技术领域,所得材料适宜作为复合磁性载体。本发明采用醇盐水解法,通过调节反应液中有机溶剂(如异丙醇等)的种类、醇/水比例以及滴加反应速度,使醇盐水解反应缓慢进行,在Fe3O4磁核表面形成致密的包覆层。进一步利用表面单层分散原理,确定不同物质在Fe3O4表面的单层分散阈值,以此为指导优化制备过程的Fe/M(Si、Ti、Al)比例,获得表面单层包覆的复合磁性材料Fe3O4/SiO2、Fe3O4/TiO2和Fe3O4/Al2O3。表面包覆致密单层抑制了Fe3O4的氧化,同时也可将包覆以后材料的比饱和磁化强度下降率控制在10%以内。
搜索关键词: 一种 材料 fe sub 表面 致密 单层 sio 方法
【主权项】:
一种在磁核材料Fe3O4表面包覆致密单层SiO2的方法,该方法采用醇盐水解和硅酸钠水解两步法,具体步骤如下:1)将正硅酸乙酯溶解于有机溶剂中,正硅酸乙酯与有机溶剂的体积比控制在0.005:1~0.05:1之间,形成溶液A;将硅酸钠溶解于电阻率不低于16MΩ·cm的超纯水中形成溶液B,控制其中硅酸钠的质量浓度在0.1~1%之间,用0.01~0.1 mol/L 的HCl调节其pH值为9~10;将有机溶剂与超纯水混合,形成溶液C,溶剂与水的体积比为5:1~2:1;2)将粒径范围在10~60nm的立方相Fe3O4磁核材料加入0.01~0.1 mol/L 的HCl溶液中,浓度控制为0.05~0.3g/mL;在通氮气条件下超声处理5~20min,之后用外置磁场进行固液相分离,并用超纯水清洗至pH为中性;3)将步骤2中处理好的Fe3O4磁核材料加入溶液C中,控制Fe3O4与溶液C的质量体积比浓度在0.005~0.02 g/mL范围,在通氮气条件下超声分散10~30min;加入一定体积的溶液A,使Fe3O4/Si的摩尔比在2.5~3.0之间,在通氮气条件下用聚四氟搅拌器搅拌1~2h;之后在反应体系中滴加25~30%的浓氨水,并在室温~70oC条件下连续搅拌反应5~6h,整个反应过程中控制pH稳定在9~10;反应结束后,用外置磁场分离固液相,用超纯水清洗至pH为中性,获得一级包覆材料;4)在步骤3处理好的体系中加入溶液B,使Fe3O4/Si的摩尔比在2.5~3.0之间,在温度为70~95oC条件下连续搅拌反应1~3h,采用滴加氨水方法控制反应过程中pH稳定在8~9;反应结束后,用外置磁场分离固液相,用超纯水清洗至pH为中性,用无水乙醇清洗,之后在真空烘箱内80oC以下干燥,得到Fe3O4/SiO2复合磁性材料,包覆以后比饱和磁化强度下降率小于10%。
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