[发明专利]普那霉素ⅠA晶体在审

专利信息
申请号: 201210347841.0 申请日: 2012-09-19
公开(公告)号: CN103665105A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 毛文华;吴亚铭;黄志明;周苗 申请(专利权)人: 浙江医药股份有限公司新昌制药厂
主分类号: C07K7/06 分类号: C07K7/06;A61K38/08;A61P31/04
代理公司: 北京乾诚五洲知识产权代理有限责任公司 11042 代理人: 付晓青;王厚莉
地址: 312500*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了普那霉素IA晶体及其制备方法和用途、以及含有治疗有效量的所述普那霉素IA晶体的药物组合物,所述晶体在X射线衍射图谱中的下述2θ角有特征峰:3.9、9.0、14.5、14.9、16.0、16.4、16.8、18.3、20.0、24.2,并且所述晶体的熔点为276℃~285℃。本发明的普那霉素IA晶体纯度高、稳定性好,有助于提高普那霉素的生物利用度。
搜索关键词: 霉素 晶体
【主权项】:
1.一种如式I所示的普那霉素IA晶体,其中,其具有与X射线粉末晶体衍射图谱图1基本相同的特征。
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