[发明专利]一种PECVD法制备SiO2薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种PECVD法制备SiO2薄膜的方法，属于SiO2薄膜制备领域。本发明提供射频电极系统性能稳定，工艺简单，成功的制备了二氧化硅薄膜，该系统可用于大面积沉积二氧化硅薄膜。利用该设备，采用PECVD方法沉积的SiO2薄膜为非晶态的无序结构，其表面致密，无明显的针眼，孔洞等缺陷，由大小尺寸均匀的颗粒组成。通过退火工艺使薄膜表面所吸附的颗粒团簇消失，经退火后的二氧化硅薄膜几乎在全波段范围内透光性能均强于普通玻璃，对光的透过率提高2.93%。

主权项

一种PECVD法制备SiO2薄膜的方法，其特征在于：包括下述工艺步骤：①镀前处理：对基体进行镀前清洁处理；②装样：将基体用夹具固定好，挂在真空室的外电极上；③真空排气：用将真空室抽至5.0Pa；④加热TEOS：将TEOS放入缠有加热带的气罐加热20min得TEOS蒸汽；⑤通入Ar和TEOS混合气体：当有TEOS蒸汽产生且真空室的真空度达到预定的数值时，然后通入Ar和TEOS混合气体，此时真空度为20~50Pa左右；⑥输入射频功率：将射频电源低压开关打开，预热5min后高压指示灯亮时即可打开高压开关，调节功率输出旋钮，并且不断调节阻抗匹配网络；⑦沉积SiO2薄膜：通过调整制备时间或改变TEOS和Ar流量，制备SiO2薄膜；⑧停炉取样：先关闭射频电源功率输出开关，然后再取出基体；⑨将基体放入退火炉中进行退火处理。