[发明专利]一种多阻态忆阻器有效
| 申请号： | 201210348359.9 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102832343A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变化由顶电极上所加电压激励的方向和大小控制；通过本发明解决了多值存储中多阻态的稳定性和一致性问题，满足了多值存储的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多阻态忆阻器 | ||
【主权项】：
一种多阻态忆阻器，其特征在于，包括:自下而上依次形成的底电极层、阻变层和顶电极层；其中，所述顶电极层和所述底电极层，用于与外部电源进行电连接；所述阻变层，用于实现多阻态之间的转换。
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