[发明专利]互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210349798.1 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681466A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成层间介质层；刻蚀层间介质层，在层间介质层中形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔的底部和侧壁依次形成阻挡层和籽晶层；在沟槽或通孔开口处的籽晶层中注入氮气；在沟槽或通孔中填充满铜金属层；进行平坦化处理，形成互连线或金属插塞。本发明在形成籽晶层之后，增加在沟槽或通孔侧壁上部的籽晶层中注入氮气的步骤，注入的氮气与对应位置的籽晶层反应生成氮化铜，包括氮化铜的籽晶层的电阻率大于籽晶层其它位置的电阻率，从而使得铜金属在沟槽底部或通孔底部的沉积速率大于在沟槽顶部或通孔顶部的沉积速率，最终可以避免沟槽或通孔中空洞的形成，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层中形成沟槽或通孔；在所述沟槽或通孔的底部和侧壁依次形成阻挡层和籽晶层；在所述沟槽或通孔开口处的籽晶层中注入氮气；在所述沟槽或通孔中填充满铜金属层；进行平坦化处理，形成互连线或金属插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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