[发明专利]氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210350692.3 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102856174A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 赵学玲;范志东;李倩;李永超;王涛;解占壹 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。通过在硅片上设置第一氮化硅膜层之前对管式炉恒温，使硅片经过恒温步骤后硅片四周和中间的温度一致，保证了硅片四周和中间的氮化硅膜生长速率一致，改善了硅片边缘因温度较高生长速率过快，解决了硅片表面各处氮化硅膜的厚度和折射率不同引起颜色偏差的问题，降低了硅片等级，提高了硅片的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 制备 方法 具有 太阳能电池 及其 | ||
【主权项】：
一种氮化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向所述管式炉内通入氮气，并将所述管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在所述硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
