[发明专利]一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置

摘要

一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置，利用永磁体作为基础主磁场，利用电磁磁体产生偏置磁场。所述的永磁磁体（101）采用C型开放式结构；所述的电磁磁体（106）置于永磁磁体成像空间内，采用亥姆霍兹结构，由两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联连接；对偏置磁场采用主动屏蔽的方法来减小由磁场循环带来的涡流影响，主动屏蔽线圈（104）由上、下两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联构成。同时本发明利用扫场的方式，确保电子的顺磁共振激发，扫场线圈采用亥姆霍兹结构，在成像区域产生均匀磁场，该均匀磁场在一个时间周期内随时间线性变化，以扫描射频脉冲激发电子顺磁共振所需的磁场环境。

主权项

一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置，其特征在于：所述的循环装置包括永磁磁体（101）、电磁磁体（106）、主动屏蔽线圈（104）、匀场线圈（103）和扫场线圈（105）；所述的永磁磁体（101）作为背景主磁场；所述的电磁磁体（106）作为偏置磁场；所述的永磁磁体（101）采用C型开放式结构，由上下两极及一个支撑上下两极的立式轭铁组成，上下两极和立式轭铁三者共同构成一个三面开放的成像区域；在C型永磁磁体的上下两极面向成像区域的一侧均布置有圆形的上极板（102）和圆形的下极板（102’）；所述的匀场线圈（103）采用平板式结构，由上下两部分组成，上匀场线圈置于永磁磁体（101）的上极板下方，下匀场线圈置于永磁磁体（101）的下极板上方；所述的主动屏蔽线圈（104）由上、下两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联构成；上主动屏蔽线圈置于上匀场线圈的下方，下主动屏蔽线圈置于下匀场线圈的上方；所述的扫场线圈（105）采用亥姆霍兹结构，由上、下两个半径和匝数均相同的线圈组成，上扫场线圈置于上主动屏蔽线圈下方，下扫场线圈置于下主动屏蔽线圈上方，上下扫场线圈之间的间距等于扫场线圈的半径；所述的电磁磁体（106）采用亥姆霍兹结构，由两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联连接，上线圈置于上扫场线圈的下方，下线圈置于下扫场线圈的上方，上下线圈之间的间距等于构成电磁磁体的线圈半径。