[发明专利]一种低电阻率Mo薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种低电阻率Mo薄膜的制备方法，具体操作步骤如下：（1）溅射Mo缓冲层：在高真空磁控溅射仪中安装金属Mo靶，纯度99．99％，基片依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗、干燥后放入溅射室。将溅射室的真空度抽到2.010^-4Pa，通入99.995%的高纯氩气作为工作气体，调节溅射室压力为3.5Pa。起辉，预溅Mo靶材10min以去除靶表面的污染物。用直流电源溅射沉积Mo薄膜，调节电源功率为4W/cm²，待辉光稳定后打开衬底挡板沉积1~3min，获得Mo缓冲层。（2）溅射Mo薄膜：将溅射室压力调节为0.15Pa，直流电源的功率仍为4W/cm²，待辉光稳定后打开衬底挡板沉积10~20min，即在缓冲层上沉积了顶层薄膜，获得具有低电阻率的双层Mo薄膜。该薄膜的结晶质量好，结构致密，适合于用作太阳能电池的背电极层。

主权项

1.一种低电阻率Mo薄膜的制备方法，其特征在于：操作步骤如下：（1）溅射Mo缓冲层：在高真空磁控溅射仪中安装金属Mo靶，纯度99．99％，基片依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗、干燥后放入溅射室；将真空腔室的真空度抽到2.010^-4 Pa，通入99.995%的高纯氩气作为工作气体，调节溅射室压力为3.5 Pa；起辉，预溅Mo靶材10 min以去除靶表面的污染物；用直流电源溅射沉积Mo薄膜，调节电源功率为4 W/cm²，待辉光稳定后打开衬底挡板沉积1~3 min，获得Mo缓冲层薄膜；（2）溅射Mo薄膜：将溅射室压力调节为0.15 Pa，调节直流电源的功率仍为4 W/cm²，待辉光稳定后打开衬底挡板沉积10~20 min，即在缓冲层上沉积了顶层薄膜，获得具有低电阻率的双层Mo薄膜。