[发明专利]喷墨头芯片的结构无效
| 申请号： | 201210351469.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103660574A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张英伦;张正明;余荣侯;戴贤忠;廖文雄 | 申请（专利权）人： | 研能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/14 | 分类号： | B41J2/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 闻卿 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种喷墨头芯片的结构，包含：基板、闸极电极、热障层、多晶硅层、保护层以及介电层，其中闸极电极形成于基板之上；热障层设置于闸极电极的至少一侧，且覆盖于基板之上；多晶硅层形成于热障层上，且具有电阻区，于电阻区的两侧进行掺杂分别构成导电区，且电阻区与导电区呈平整共存相接态；保护层形成于多晶硅层之上，并可平整覆盖多晶硅层的电阻区与导电区；介电层设置于闸极电极与多晶硅层之间，并于介电层上形成接触段与多晶硅层的导电区连接。 | ||
| 搜索关键词： | 喷墨 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种喷墨头芯片的结构，包含：一基板；一闸极电极，形成于该基板之上；一热障层，设置于该闸极电极的至少一侧，且覆盖于该基板之上；一多晶硅层，形成于该热障层上，该多晶硅层具有一电阻区，及于该电阻区的两侧进行掺杂分别构成一导电区，且该多晶硅层的该电阻区与该导电区呈平整共存相接态；一保护层，形成于该多晶硅层之上，并可平整覆盖该多晶硅层的该电阻区与该导电区；以及一介电层，设置于该闸极电极与该多晶硅层之间，并于该介电层上形成一接触段与该多晶硅层的该导电区连接。
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