[发明专利]一种LED芯片的制造方法

摘要

本发明提供了一种发光二极管芯片的制造方法，包括在蓝宝石衬底上制作掩蔽层，掩蔽层为SiO2；在所述掩蔽层上制作光刻胶图案；在露出的掩蔽层上进行激光刻线，形成的释放应力线将蓝宝石衬底划分为多个芯片单元；去除所述光刻胶图案；使用磷酸、硫酸的混合液对释放应力线侧壁进行腐蚀，清除划线生成物；去除所述掩蔽层；在上述步骤得到的表面具有释放应力线的蓝宝石衬底上生长GaN基半导体外延层；对每个芯片单元进行刻蚀；在芯片表面制作钝化层，并露出N电极和P电极得到LED晶片；对LED晶片进行背面研磨减薄，再用裂片机裂片得到LED芯片。采用该方法可提高芯片的出光效率，从而能有效提高芯片亮度。

主权项

一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）、在蓝宝石衬底上制作掩蔽层，所述掩蔽层为SiO2；（2）、在所述掩蔽层上制作光刻胶图案，所述光刻胶图案在掩蔽层表面形成多个单元，各单元之间有部分掩蔽层露出；（3）、在露出的掩蔽层上进行激光刻线，划至所述蓝宝石衬底，形成释放应力线，该释放应力线将蓝宝石衬底划分为多个芯片单元；激光刻线所采用的激光波长为200‑400nm，释放应力线宽度为2‑15微米，划线深度为15‑50微米；（4）、去除所述光刻胶图案；（5）、以所述掩蔽层作为掩膜，使用磷酸、硫酸的混合液对释放应力线侧壁进行腐蚀，清除划线生成物，其中磷酸、硫酸的体积比为1：3；（6）、使用清洗液去除所述掩蔽层，清洗液为BOE溶液或氢氟酸。（7）、在上述步骤得到的表面具有释放应力线的蓝宝石衬底上生长GaN基半导体外延层，该半导体外延层至少包括N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层，以及位于所述有源层之上的P型半导体层；（8）、对每个芯片单元进行刻蚀，以露出部分所述N型GaN层， 然后在露出的N型GaN层上制作N电极、在P型GaN层上制作透明电极和P电极；（9）在芯片表面制作钝化层，并露出N电极和P电极得到LED晶片；对LED晶片进行背面研磨减薄，再用裂片机裂片得到LED芯片。