[发明专利]具有减小的负载的氧化物薄膜晶体管(TFT)的显示像素有效
申请号: | 201210351774.X | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN103257497A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 黄俊尧;朴英培;张世昌 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1362;H01L21/77;G09F9/35 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 鲍进 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 所公开的实施例涉及一种用于在显示设备10中使用的薄膜晶体管(TFT)90。显示设备10可以包括具有按行和列形式布置的多个像素82的液晶显示器(LCD)面板12,其中每行对应于栅极线且每一列对应于源极线。每个像素82包括像素电极92和TFT90。TFT90可以包括位于源极和漏极之间的金属氧化物半导体沟道。对于每个TFT90,可以在位于源极和/或漏极之下的区域中的栅极线84中形成孔。该孔可以被形成为使得源极和漏极仅部分地与该孔重叠。该孔的存在减小了栅极线84的面积,这可以减小寄生电容并改善负载。这可以提供改善的面板性能,其减少了某些视觉假像的出现。 | ||
搜索关键词: | 具有 减小 负载 氧化物 薄膜晶体管 tft 显示 像素 | ||
【主权项】:
一种显示设备,包括:包括按行和列布置的多个显示像素的液晶显示器(LCD)面板,其中每个所述显示像素包括:像素电极;以及耦合到源极线和栅极线的薄膜晶体管(TFT),其中所述TFT包含源极、沟道和漏极,并且其中所述栅极线包括第一孔,所述第一孔至少部分地与漏极重叠并被配置为通过减小所述栅极线的面积来减小寄生电容。
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