[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池用绒面AZO薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210352433.4 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN102832293A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;崔介东;王芸;曹欣;沈洪雪 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 倪波 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池用绒面AZO薄膜的制备方法,采用石英砂粉末水溶液作为刻蚀玻璃的腐蚀液,对AZO薄膜的基底玻璃进行刻蚀,形成玻璃表面的绒面结构,从而在玻璃表面之上生长的AZO薄膜能够实现绒面结构,本发明避免了酸蚀工艺对AZO薄膜厚度要求过高导致成本增加的问题,同时也不会造成废酸对环境的污染,所制备出的AZO绒面薄膜适用于硅基薄膜太阳能电池的前电极,增加对光线的吸收量,提高了硅基薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 用绒面 azo 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基薄膜太阳能电池用绒面AZO薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下主要步骤:(1)取石英砂粉末与水混合并搅拌均匀,配制成石英砂粉末水溶液作为刻蚀玻璃的腐蚀液,简称石英砂腐蚀液;(2)将上述石英砂腐蚀液通过喷头喷射到清洗干净的玻璃基片上进行刻蚀,控制石英砂腐蚀液的流速为0.1~1m/s,刻蚀时间为5~10分钟;(3)在刻蚀完成的玻璃基片上采用射频磁控溅射技术制备AZO薄膜,得到的AZO薄膜即为绒面AZO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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