[发明专利]存储器、存储阵列的编程控制方法及装置在审
| 申请号： | 201210352887.1 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102855930A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器、存储阵列的编程控制方法及装置，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线；所述编程控制方法包括：施加字线编程电压至与目标存储单元连接的字线，施加0V电压至与所述目标存储单元共用源线的存储单元连接的字线，施加字线偏置电压至剩余字线；施加源线编程电压至与目标存储单元连接的源线，施加源线偏置电压至剩余源线；施加编程电流以在与目标存储单元连接的位线上产生位线编程电压，施加位线预编程电压至剩余位线。本发明技术方案提供了一种存储器、存储阵列的编程控制方法及装置，减小了存储阵列的功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 存储 阵列 编程 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种存储阵列的编程控制方法，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线，其特征在于，包括：施加字线编程电压至与目标存储单元连接的字线，施加0V电压至与所述目标存储单元共用源线的存储单元连接的字线，施加字线偏置电压至剩余字线；施加源线编程电压至与目标存储单元连接的源线，施加源线偏置电压至剩余源线；施加编程电流以在与目标存储单元连接的位线上产生位线编程电压，施加位线预编程电压至剩余位线；其中，所述字线偏置电压小于所述源线偏置电压且与所述源线偏置电压相差预定值；所述字线偏置电压小于所述位线编程电压。
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