[发明专利]一种纳米碳化硅晶须的制备方法无效
| 申请号： | 201210353376.1 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102849738A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 苏晓磊;贾艳;王俊勃;贺辛亥;徐洁;付翀;刘松涛 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米碳化硅晶须的制备方法，主要以硅粉、炭黑、铁粉和聚四氟乙烯为原料，按一定比例混合形成反应剂，将反应剂研磨，得到混合浆体，烘干后研磨成粉体，然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物，最后将反应产物经过除碳、除硅，得到纳米碳化硅晶须。本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率高，并且工艺简单，生产成本低；本发明的制备方法制备出的碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等特点，可广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米碳化硅晶须的制备方法，其特征在于，将反应剂研磨，得到混合浆体，烘干后研磨成粉体，然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物，最后将反应产物经过除碳、除硅，得到纳米碳化硅晶须。
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