[发明专利]腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管无效
申请号: | 201210353647.3 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103668115A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 江风益;刘军林;方文卿;蒲勇;徐龙权 | 申请(专利权)人: | 南昌黄绿照明有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管,包括反应室和控制系统,在反应室内的MOCVD加热器的上面安装有石墨衬底基座和外延衬底,在外延衬底的上方安装有MOCVD喷头,特征是:在反应室内壁的顶部、底部和四周侧壁上设有循环介质通道,左侧壁上的反应室循环介质入口将循环介质通道和恒温机的恒温机循环介质出口连接在一起,右侧壁上的反应室循环介质出口将循环介质通道和恒温机的恒温机循环介质入口连接在一起,使得循环介质在反应室的循环介质通道和恒温机之间循环流通。总之,本发明具有通过对腔壁的实时在线变温、加速腔壁杂质气体的脱附、改善外延材料的质量、降低生长成本提高外延工艺的可控性、节能等优点。 | ||
搜索关键词: | 温度 生长 程序 实时 设置 外延 反应 | ||
【主权项】:
一种腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管,包括反应室和控制系统,在反应室内安装有MOCVD加热器,在MOCVD加热器的上面依次从下至上安装有石墨衬底基座和外延衬底,MOCVD加热器对石墨基座进行加热控温,石墨基座对外延衬底进行加热,在反应室内、外延衬底的上方安装有正对外延衬底且与外延衬底间隔放置的MOCVD喷头,在反应室的顶板中间设有一个进气孔,在反应室的底板两边各设有一个排气孔,特征是:在反应室内壁的顶部、四周侧壁上设有封闭的循环介质通道,在反应室的左侧壁和右侧壁上分别设有反应室循环介质入口和反应室循环介质出口,反应室循环介质入口将循环介质通道和恒温机的恒温机循环介质出口连接在一起,反应室循环介质出口将循环介质通道和恒温机的恒温机循环介质入口连接在一起,使得循环介质在反应室的循环介质通道和恒温机之间循环流通;反应室和恒温机受控制系统控制。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的