[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够抑制耐压的下降并且实现电流驱动能力的提高和小型化。半导体装置（1）具备：沿SOI衬底的半导体层的上表面形成的栅极电极（31）；源极扩散区域（181～18N）；电荷收集区域（191～19N＋1）；漏极扩散区域（16）；电场缓和区域（17）。源极扩散区域（181～18N）和电荷收集区域（191～19N＋1）沿Y轴方向交替排列。在将源极扩散区域（181～18N）的各自的宽度设为Weff、将栅极电极（31）的长度设为Lg、将栅极电极（31）和漏极扩散区域（16）的彼此对置的端部间的距离设为Ldrift时，Weff/2≤Lg＋Ldrift/2的关系式成立。

主权项

一种使用了SOI衬底的半导体装置，该SOI衬底具有：基体材料层；半导体层，形成在该基体材料层上；埋入绝缘膜，介于所述基体材料层和所述半导体层之间，将所述半导体层与所述基体材料层电隔离，其特征在于，具备：栅极绝缘膜，形成在所述半导体层上；栅极电极，沿所述半导体层的上表面形成在所述栅极绝缘膜上，在预定的第一方向具有宽度并且在与所述第一方向交叉的第二方向具有长度；多个源极扩散区域，在所述第二方向的所述栅极电极的两侧中的一侧，在所述半导体层内形成为第一导电型的杂质扩散区域，并且沿所述第一方向排列；多个电荷收集区域，在所述一侧，在所述半导体层内形成为与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质扩散区域，并且沿所述第一方向排列；漏极扩散区域，在所述栅极电极的该两侧中的另一侧，在所述半导体层内形成为与所述第一导电型相同的导电型的杂质扩散区域；体区域，以被所述埋入绝缘膜、所述多个源极扩散区域、所述多个电荷收集区域、所述漏极扩散区域包围的方式形成在所述半导体层内；以及电场缓和区域，以介于所述体区域和所述漏极扩散区域之间的方式形成在所述半导体层内，所述源极扩散区域和所述电荷收集区域沿所述第一方向交替排列，在将所述第一方向的所述源极扩散区域的各自的宽度设为Weff、将所述栅极电极的长度设为Lg、将所述第二方向的所述电场缓和区域的长度设为Ldrift时，Weff/2≤Lg＋Ldrift/2的关系式成立。